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    关于“一种g-C3N4层包覆硅负极材料、制备方法及其应用”等三项专利转化的公示
    发布时间：2025年12月25日 16:26 发布者： 浏览次数：

    根据国务院印发的《实施〈中华人民共和国促进科技成果转化法〉若干规定》和武汉科技大学科技成果转化相关文件要求，现将“一种g-C3N4层包覆硅负极材料、制备方法及其应用”等三项专利的作价入股情况进行公示：

    序号

    专利名称

    专利号

    发明人/设计人

    单位

    1

    一种g-C3N4层包覆硅负极材料、制备方法及其应用

    202211516781.0

    霍开富；高标；张徽；邓佳果；付继江

    冶金与能源学院

    2

    一种多孔铋-碳材料、制备方法及其应用

    202110416611.4

    高标；魏昌昊；金齐儒；郭思广；霍开富

    冶金与能源学院

    3

    一种宽温域高安全锂离子软包电池及制备方法

    202411005887.3

    霍开富；刘锋瑞；高标；董相盛

    冶金与能源学院

    拟作价投资金额：经成果完成人同意，并与出资方协商，上述三项专利拟以评估价115万元人民币作价出资占武汉极域电池科技有限公司69.7%的股份（其中，武汉科技大学占6.97%的股份，由武汉科技大学资产经营有限公司代为持有并管理，奖励成果完成人霍开富教授团队62.73%的股份）

    公示时间为2025年12月25日至2026年1月8日。公示期限内如有异议，可以通过电话、电子邮件等方式向科学技术发展院反映。

    联系电话：027-68862621

    电子邮箱：kjc@wust.edu.

    科学技术发展院

    2025年12月25日


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